AlSiC 基板具有較高的導熱係數(170~200W/mk)和低熱膨脹係數(6.5~9.5×10-6/K)，並且低的熱膨脹係數對於半導體芯片和陶瓷基板具有良好的防止疲勞失效的性能，因此功率芯片可直接安裝在鋁碳化矽(硅)AlSiC基板上；另一方面，由於AlSiC的導熱率高，芯片產生的熱量可以即時分布。因此，產品本身具有良好的可靠性與穩定性能。
產品特性
高導熱特性
耐冷熱衝擊性
低熱膨脹係數
相當於鋁的密度，輕質複合材料
銅箔已貼付，可自行蝕刻使用
多種規格與厚度可選擇訂做
優勢
- 高UPH
- 低成本
- 採用鋁合金高壓滲入
應用領域
- IGBT module : Base plate
- 高功率IGBT散熱水冷器上蓋
- Flip Chip/HP Flip Chip BGA : Heat spreader
- 高功率LED天井燈/投光燈 散熱基板
UN-AlSiC
鋁碳化矽(硅)基板
UN-AlSiC-15292
鋁碳化矽(硅)IGBT水冷散熱器上蓋
UN-AlSiC-3232
Flip Chip/HP Flip Chip BGA : Heat sink
規格參數
型號 Property UN-XXX 單位Unit 材質 Al/SiC 成分 Al/SiC 37/63 % 厚度 Thickness 4~ mm 熱傳導率 Thermal Conductivity >170 W / mk 密度 Density 2.9 g/cm3 熱膨脹係數 CTE 6~12 X10-6/K 彎曲強度 Flexural Strength >400 MPa 楊氏彈性模量 Young’s module >188 GPa 產品詳細咨詢