AlSic鋁碳化矽(硅)基板
AlSiC 基板具有較高的導熱係數(140~200W/mk)和低熱膨脹係數(6.5~9.5×10-6/K),並且低的熱膨脹係數對於半導體芯片和陶瓷基板具有良好的防止疲勞失效的性能,因此功率芯片可直接安裝在鋁碳化矽(硅)AlSiC基板上;另一方面,由於AlSiC的導熱率高,芯片產生的熱量可以即時分布。因此,產品本身具有良好的可靠性與穩定性能。
產品特性
優勢
應用領域
產品特性
鋁碳化矽(硅)基板
UN-AlSiC-15292
鋁碳化矽(硅)IGBT水冷散熱器上蓋
UN-AlSiC-3232
Flip Chip/HP Flip Chip BGA : Heat sink
型號 Property | UN-XXX | 單位Unit |
材質 | Al/SiC | |
成分 Al/SiC | 37/63 | % |
厚度 Thickness | 4~ | mm |
熱傳導率 Thermal Conductivity | 140~200 | W / mk |
密度 Density | 2.9 | g/cm3 |
熱膨脹係數 CTE | 6~12 | X10-6/K |
彎曲強度 Flexural Strength | >400 | MPa |
楊氏彈性模量 Young’s module | >188 | GPa |