德國 Unitemp RTP 系列快速熱處理（RTP／RTA）爐，上下紅外線燈管加熱，晶圓最大 100／150／200 mm，最高 1000°C（依機型可選配 1200°C 或 1500°C），單片晶圓升溫最高 150 K/s（選配 200 K/s），真空 1×10⁻³ hPa（-HV 版 10⁻⁶ hPa 等級），最多 4 路 MFC，用於快速退火、氧化、氮化與合金化。
研發與量產用的快速熱處理（RTP／RTA）爐
德國 Unitemp RTP 系列是專為快速熱處理（RTP）與快速退火（RTA）設計的爐子，可用於矽與化合物半導體晶圓的退火、快速熱氧化（RTO）、快速熱氮化（RTN）、合金化、結晶與緻密化等製程。適合研發，也能以較低成本做高產能生產，並可整合進既有產線。
RTP-100、RTP-150、RTP-200 分別對應 100、150、200 mm 晶圓，RTP-150 也可放 156 × 156 mm 基板。上下兩面都有紅外線燈管，可由軟體選擇上加熱、下加熱或兩者並用，並可分區控制。最高溫度 1000°C，依機型可選配 1200°C 或 1500°C。
單片晶圓的升溫速率最高 150 K/s（RTP-100），選配加大功率（-EP）可達 200 K/s；1000°C 降到 400°C 最快約 200 K/min，縮短製程時間又不犧牲品質。腔體水冷，工件以氮氣冷卻。
標準真空度 1×10⁻³ hPa，高真空版（-HV）可達 10⁻⁶ hPa 等級；最多 4 路 MFC，可使用氮氣、氬氣、氧氣、合成氣與氫氣（氫氣需搭配安全選配）。SIMATIC® 控制器搭配 7 吋觸控面板，可存 50 組程式、每組 50 段，並內建資料記錄，也可遠端控制。
三種晶圓尺寸
RTP-100／RTP-100-HV
晶圓 100 mm｜升溫最高 150 K/s（選配 200 K/s）
RTP-150
晶圓 150 mm 或 156 × 156 mm｜升溫最高 75 K/s（選配 150 K/s）
RTP-200／RTP-200-HV
晶圓 200 mm｜升溫最高 50 K/s（選配 100 K/s）
落地機櫃整合
可選配整合冷卻水交換器的落地機櫃（-CAB）
依工件更換石英載盤（RTP-200）
100 mm 晶圓
石英框 RTP-QF-200-100 mm
150 mm 晶圓
石英框 RTP-QF-200-150 mm
200 mm 晶圓
石英框 RTP-QF-200-200 mm
石墨坩堝
內尺寸 201 × 201 × 7 mm，放小片樣品或非晶圓工件
產品型號與規格參數
| 參數項目 | RTP-100 | RTP-150 | RTP-200 |
|---|---|---|---|
| 最大工件 | 晶圓直徑 100 mm（4 吋） | 晶圓直徑 150 mm，或 156 × 156 mm 基板 | 晶圓直徑 200 mm，或 182 × 182 mm 基板 |
| 石墨承載盤（內尺寸）（mm） | 106 × 106 × 1.75 | 157 × 157 × 2 | 206 × 206 × 1 |
| 石墨坩堝（內尺寸）（mm） | 直徑 90 × 8 | 134 × 134 × 11 | 201 × 201 × 7 |
| 最高溫度 | 1000°C（選配 1200°C 或 1500°C） | 1000°C（選配 1200°C） | 1000°C（選配 1200°C） |
| 最大升溫速率（單片晶圓） | 150 K/s（選配 -EP：200 K/s） | 75 K/s（選配 -EP：150 K/s） | 50 K/s（選配 -EP：100 K/s） |
| 降溫速率 | 1000→400°C 最高 200 K/min | ||
| 加熱功率 | 20 kW（-EP：27 kW） | 21 kW（-EP：42 kW） | 21 kW（-EP：42 kW） |
| 加熱方式 | 上下紅外線燈管，可由軟體選擇上／下加熱；分區控制 | ||
| 溫度均勻性 | ≤ ±1.5% | ≤ 1.5% | ≤ 1.0% |
| 真空度 | 1×10⁻³ hPa；RTP-100-HV 達 10⁻⁶ hPa | 1×10⁻³ hPa | 1×10⁻³ hPa；RTP-200-HV 達 6×10⁻⁶ hPa |
| 製程氣體管路 | 氮氣 MFC 5 nlm ×1，最多 4 路 | ||
| 可用製程氣體 | 氮氣、氬氣、氧氣、合成氣、氫氣（氫氣需安全選配） | ||
| 控制器 | SIMATIC® 7 吋觸控面板；50 組程式 × 50 段；資料記錄 | ||
| 冷卻 | 腔體水冷；工件以氮氣冷卻 | ||
| 外形尺寸（寬 × 深 × 高）（mm） | 504 × 505（700）× 570 | 505 × 525 × 570 | 約 505 × 525 × 570 |
| 重量（kg） | 55 | 約 55 | 約 70 |
| 電源 | 400／230 V，20 kW | 400／230 V，21 kW | 3 × 400／230 V，21 kW |
標示底色的列為各型號的差異；其餘各型號相同，合併為一格。
升溫速率以單片晶圓計。延長持溫（-TX）、氧氣與水氣分析儀、號誌燈、各尺寸石英載盤與石墨承載盤、第二製程腔、落地機櫃、真空幫浦與冷卻水循環機等選配，請洽友創工業。
完整規格與外觀尺寸圖請參閱 Unitemp 原廠 RTP 系列頁面與各型號規格書。
典型應用場景
快速退火與佈植後活化
矽與化合物半導體晶圓的快速退火（RTA）、離子佈植後的接觸退火與摻質活化，數秒內升到目標溫度，熱預算低。
快速熱氧化與氮化
在氧氣或氮氣氣氛下做快速熱氧化（RTO）與快速熱氮化（RTN），最多 4 路 MFC 精準控制氣體比例。
合金化、結晶與緻密化
SiAu、SiAl、SiMo 合金化，低介電常數（Low-k）材料處理，薄膜結晶與緻密化，以及玻璃基板上的矽太陽能電池製程。
常見問題
RTP、RTA、RTO、RTN 有什麼差別？
RTP（Rapid Thermal Processing，快速熱處理）是總稱，指在數秒內把晶圓升到高溫、再快速降溫的製程。依用途與氣氛又分為 RTA（快速退火，例如佈植後的摻質活化）、RTO（在氧氣中快速熱氧化）與 RTN（在氮氣中快速熱氮化）。Unitemp RTP 系列最多 4 路 MFC，同一台設備可切換這些製程。
RTP-100、RTP-150、RTP-200 怎麼選？
先看晶圓尺寸：100、150、200 mm 各對應一款，RTP-150 也可放 156 × 156 mm 基板。尺寸越小、升溫越快：RTP-100 單片升溫最高 150 K/s（選配 200 K/s），RTP-150 為 75 K/s（選配 150 K/s），RTP-200 為 50 K/s（選配 100 K/s）。需要 1500°C 時只有 RTP-100 可選配。小尺寸晶圓也可以放在大機型裡，搭配對應的石英載盤即可。
可以使用氫氣嗎？
可以，但需要加購氫氣安全選配（含感測器與監控）。標準可使用的製程氣體為氮氣、氬氣、氧氣與合成氣；使用氧氣與合成氣時，原廠也有對應的安全單元可選。
HV 版是什麼？
型號加 -HV 的是高真空版：標準機種真空度 1×10⁻³ hPa，RTP-100-HV 可達 10⁻⁶ hPa，RTP-200-HV 可達 6×10⁻⁶ hPa，適合對殘留氧氣與水氣更敏感的製程。