德國 Unitemp 2Z-HVS 高真空封裝爐，用於 MEMS 元件的氣密封裝與吸氣劑（Getter）活化。真空度 10⁻⁶ hPa（含幫浦），同一腔體內有上下兩個加熱區（上 200°C、下 450°C），升降溫 20 K/min，一次可封裝 6 個元件；2Z-HVS-100 適用直徑 16 mm、2Z-HVS-200 適用直徑 42 mm。
MEMS 高真空氣密封裝與吸氣劑活化
德國 Unitemp 2Z-HVS 是 MEMS（微機電系統）元件的高真空封裝爐，在 10⁻⁶ hPa 的真空下完成氣密封裝。機身小巧、重量輕，可放在實驗桌上使用，也能用於量產，是大型封裝設備之外較經濟的選擇。
同一個腔體內有上下兩個加熱區：下加熱區最高 450°C，上加熱區最高 200°C，兩區可設定不同的升降溫速率。封裝前，元件與蓋板可在不同溫度下分別處理，例如先活化吸氣劑（Getter），再自動定位、在相同溫度下完成封合。
一次最多可處理 6 個元件（轉接座）：2Z-HVS-100 適用直徑 16 mm 以內，2Z-HVS-200 適用直徑 42 mm 以內。升降溫速率在真空下為 20 K/min，加熱板與腔體皆為水冷。
腔體外圍是 360° 玻璃筒，製程中可隨時觀察。SIMATIC® 控制器可直接在機台上設定，也能透過 USB 介面與隨附的 UniSoft 軟體在電腦上編寫與儲存程式。
產品型號與規格參數
| 參數項目 | 2Z-HVS-100 | 2Z-HVS-200 |
|---|---|---|
| 加熱區直徑（mm） | 100 | 200 |
| 轉接座數量 | 最多 6 個 | |
| 最大元件尺寸 | 直徑 16 mm | 直徑 42 mm |
| 真空度 | 10⁻⁶ hPa（含幫浦） | |
| 最高溫度 | 下加熱區 450°C（選配 600°C）；上加熱區 200°C | |
| 升降溫速率 | 20 K/min（真空下） | |
| 製程氣體管路 | MFC ×1，最多 4 路 | |
| 冷卻 | 腔體與加熱板皆水冷 | |
| 控制器 | SIMATIC®；USB 介面與 UniSoft 軟體；20 組程式 × 100 段 | |
| 製程觀察 | 360° 玻璃腔體 | |
| 外形尺寸（寬 × 深 × 高）（mm） | 200 × 500 × 470 | 805 × 500 × 820 |
| 重量 | 24 kg＋幫浦 | 105 kg＋幫浦 |
| 電源 | 230 V 單相，最大 16 A，3.2 kW | 230／400 V 三相＋N，3 × 16 A，9 kW |
標示底色的列為各型號的差異；其餘各型號相同，合併為一格。
額外氣體管路（手動流量計或 MFC）、熱電偶與冷卻水循環機（WC-I）等選配，請洽友創工業。
完整規格與外觀尺寸圖請參閱 Unitemp 原廠 HVS 系列頁面與規格書。
典型應用場景
MEMS 氣密封裝
在 10⁻⁶ hPa 高真空下封合 MEMS 元件，一次最多 6 個，元件與蓋板自動定位，在相同溫度下完成封合。
吸氣劑（Getter）活化
封裝前把元件與蓋板分在上下兩個加熱區、以不同溫度處理，於同一個製程內完成吸氣劑活化與封裝。
紅外線感測器與晶體封裝
需要長期維持內部真空的紅外線感測器、晶體振盪器等元件，在實驗室規模先驗證封裝製程，再銜接量產。
常見問題
2Z-HVS 的兩個加熱區有什麼用途？
同一個腔體內，下加熱區最高 450°C、上加熱區最高 200°C，兩區可設定不同的升降溫速率。封裝前，元件與蓋板可以在不同溫度下分別處理，例如先在較高溫度活化吸氣劑（Getter），再讓兩者升到相同溫度，自動定位後完成封合。
2Z-HVS-100 和 2Z-HVS-200 怎麼選？
依元件大小：兩者一次都可處理 6 個元件，2Z-HVS-100 的轉接座適用直徑 16 mm 以內，2Z-HVS-200 適用直徑 42 mm 以內。2Z-HVS-100 機身 24 kg（不含幫浦）、單相 230 V 即可；2Z-HVS-200 重 105 kg，需要三相電源。
真空幫浦和冷卻水要另外準備嗎？
真空度 10⁻⁶ hPa 的幫浦、閘閥與真空計已包含在設備內。加熱板為主動水冷，腔體外殼也需要冷卻，原廠建議搭配封閉式循環冷卻水機（WC-I）。